|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
К. С. Денисов, И. В. Рожанский, Н. С. Аверкиев, E. Lähderanta, “Спин-зависимое туннелирование в гетероструктурах с магнитным слоем”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 45–50   ; K. S. Denisov, I. V. Rozhansky, N. S. Averkiev, E. Lähderanta, “Spin-dependent tunneling recombination in heterostructures with a magnetic layer”, Semiconductors, 51:1 (2017), 43–48 |
4
|
|
2016 |
| 2. |
К. С. Денисов, И. В. Рожанский, Н. С. Аверкиев, E. Lähderanta, “Спин-зависимое туннелирование в гетероструктурах с магнитным слоем”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1725 ; K. S. Denisov, I. V. Rozhansky, N. S. Averkiev, E. Lähderanta, “Spin-dependent tunneling recombination in heterostructures with a magnetic layer”, Semiconductors, 51:1 (2017), 43–48 |
3
|
|
Обратная связь: