|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
1. |
В. Н. Андреев, В. А. Климов, “Фазовый переход металл–диэлектрик в тонких пленках диоксида ванадия, легированного никелем”, Физика твердого тела, 61:10 (2019), 1935–1939 ; V. N. Andreev, V. A. Klimov, “Metal–insulator phase transition in thin films of a nickel-doped vanadium dioxide”, Phys. Solid State, 61:10 (2019), 1891–1895 |
1
|
2. |
В. Н. Андреев, В. А. Климов, “Фазовый переход металл–диэлектрик в тонких пленках диоксида ванадия, легированного вольфрамом”, Физика твердого тела, 61:8 (2019), 1519–1522 ; V. N. Andreev, V. A. Klimov, “Metal–insulator phase transition in tungsten-doped vanadium dioxide thin films”, Phys. Solid State, 61:8 (2019), 1471–1474 |
6
|
|
2018 |
3. |
В. Н. Андреев, В. А. Климов, “Фазовый переход металл–диэлектрик в тонких пленках диоксида ванадия, легированного железом”, Физика твердого тела, 60:12 (2018), 2425–2428 ; V. N. Andreev, V. A. Klimov, “Metal–insulator phase transition in iron-doped vanadium dioxide thin films”, Phys. Solid State, 60:12 (2018), 2604–2607 |
3
|
|
2017 |
4. |
В. Н. Андреев, В. А. Климов, М. Е. Компан, “Фазовый переход металл-диэлектрик в гидрированных тонких пленках V$_{2}$O$_{3}$”, Физика твердого тела, 59:12 (2017), 2413–2415 ; V. N. Andreev, V. A. Klimov, M. E. Kompan, “Metal–insulator phase transition in hydrogenated thin films of V$_{2}$O$_{3}$”, Phys. Solid State, 59:12 (2017), 2441–2443 |
3
|
|
2016 |
5. |
В. Н. Андреев, В. А. Климов, “Особенности электропроводности диэлектрической фазы диоксида ванадия, легированного ниобием”, Физика твердого тела, 58:3 (2016), 590–594 ; V. N. Andreev, V. A. Klimov, “Specific features of electrical conductivity of the insulating phase of vanadium dioxide doped with niobium”, Phys. Solid State, 58:3 (2016), 606–610 |
5
|
6. |
В. Н. Андреев, В. А. Климов, М. Е. Компан, “Термическая литография тонких пленок диоксида ванадия”, Письма в ЖТФ, 42:1 (2016), 42–48 ; V. N. Andreev, V. A. Klimov, M. E. Kompan, “Thermal lithography of thin films of vanadium dioxide”, Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 19–22 |
|