|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
1. |
О. В. Александров, А. Н. Агеев, С. И. Золотарев, “Накопление зарядов в МОП-структурах с поликремниевым затвором при туннельной инжекции”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1625–1630 ; O. V. Aleksandrov, A. N. Ageev, S. I. Zolotarev, “Charge accumulation in MOS structures with a polysilicon gate under tunnel injection”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1732–1737 |
|