|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
А. П. Горшков, Н. С. Волкова, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, Л. А. Истомин, С. Б. Левичев, “Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1421–1424   ; A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, L. A. Istomin, S. B. Levichev, “Relation between the electronic properties and structure of InAs/GaAs quantum dots grown by vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1525–1528 |
|
2017 |
| 2. |
А. П. Горшков, Н. С. Волкова, П. Г. Воронин, А. В. Здоровейщев, Л. А. Истомин, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, С. Б. Левичев, “Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1447–1450 ; A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, P. G. Voronin, A. V. Zdoroveyshchev, L. A. Istomin, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, S. B. Levichev, “Effect of the cap-layer composition on the electronic properties of InAs/GaAs quantum dots”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1395–1398 |
|
Обратная связь: