|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
С. Э. Тягинов, А. А. Макаров, M. Jech, М. И. Векслер, J. Franco, B. Kaczer, T. Grasser, “Физические основы самосогласованного моделирования процессов генерации интерфейсных состояний и транспорта горячих носителей в транзисторах на базе структур металл–диэлектрик–кремний”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 254–259   ; S. È. Tyaginov, A. A. Makarov, M. Jech, M. I. Vexler, J. Franco, B. Kaczer, T. Grasser, “Physical principles of self-consistent simulation of the generation of interface states and the transport of hot charge carriers in field-effect transistors based on metal–oxide–semiconductor structures”, Semiconductors, 52:2 (2018), 242–247 |
2
|
|
Обратная связь: