|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Н. В. Востоков, В. М. Данильцев, С. А. Краев, В. Л. Крюков, Е. В. Скороходов, С. С. Стрельченко, В. И. Шашкин, “Вертикальный полевой транзистор с управляющим $p$–$n$-переходом на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1311–1314   ; N. V. Vostokov, V. M. Daniltsev, S. A. Kraev, V. L. Kryukov, E. V. Skorokhodov, S. S. Strelchenko, V. I. Shashkin, “Vertical field-effect transistor with control $p$–$n$-junction based on GaAs”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1279–1281 |
|
2017 |
| 2. |
А. В. Мурель, В. Б. Шмагин, В. Л. Крюков, С. С. Стрельченко, Е. А. Суровегина, В. И. Шашкин, “Емкостная спектроскопия дырочных ловушек в высокоомных структурах арсенида галлия, выращенных жидкофазным методом”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1538–1542 ; A. V. Murel, V. B. Shmagin, V. L. Kryukov, S. S. Strelchenko, E. A. Surovegina, V. I. Shashkin, “Capacitance spectroscopy of hole traps in high-resistance gallium-arsenide structures grown by liquid-phase epitaxy”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1485–1489 |
1
|
|
Обратная связь: