|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
1. |
И. Е. Тысченко, И. В. Попов, Е. В. Спесивцев, “Анодное окисление слоев кремний-на-изоляторе, созданных методом водородного переноса”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 253–257 ; I. E. Tyschenko, I. V. Popov, E. V. Spesivtsev, “Anodic oxidation of hydrogen-transferred silicon-on-insulator layers”, Semiconductors, 53:2 (2019), 241–245 |
|