|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
1. |
А. Б. Пашковский, И. В. Куликова, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, Н. К. Приступчик, Л. В. Манченко, В. Г. Калина, М. И. Лопин, А. Д. Закурдаев, “Поверхностный тепловой интерфейс для мощных арсенид-галлиевых гетероструктурных полевых транзисторов”, ЖТФ, 89:2 (2019), 252–257 ; A. B. Pashkovskii, I. V. Kulikova, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, N. K. Pristupchik, L. V. Manchenko, V. G. Kalina, M. I. Lopin, A. D. Zakurdaev, “Thermal surface interface for high-power arsenide–gallium heterostructure fets”, Tech. Phys., 64:2 (2019), 220–225 |
|