|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
В. В. Козловский, А. А. Лебедев, К. С. Давыдовская, Ю. В. Любимова, “Гальванические и емкостные эффекты при компенсации проводимости $n$-SiC радиационными дефектами”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1532–1534   ; V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, K. S. Davydovskaja, Yu. V. Lubimova, “Galvanic and capacitive effects in $n$-SiC conductivity compensation by radiation-induced defects”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1635–1637 |
| 2. |
С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, Ю. В. Любимова, “Роль зарядового состояния поверхностных атомов металлической подложки в допировании квазисвободного графена”, Письма в ЖТФ, 44:23 (2018), 90–95 ; S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, Yu. V. Lubimova, “The role of the charge state of surface atoms of a metal substrate in doping of quasi-free-standing graphene”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1089–1091 |
|
Обратная связь: