|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
А. Н. Виниченко, Д. А. Сафонов, Н. И. Каргин, И. С. Васильевский, “Электронный квантовый транспорт в псевдоморфных и метаморфных квантовых ямах на основе In$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 359–364   ; A. N. Vinichenko, D. A. Safonov, N. I. Kargin, I. S. Vasil'evskii, “Electron-quantum transport in pseudomorphic and metamorphic In$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As-based quantum wells”, Semiconductors, 53:3 (2019), 339–344 |
| 2. |
В. Ю. Фоминский, Р. И. Романов, A. A. Соловьев, И. С. Васильевский, Д. А. Сафонов, А. А. Иванов, П. В. Зинин, В. П. Филоненко, “Особенности импульсного лазерного отжига пленок ВС$_{3}$ на сапфировой подложке”, Письма в ЖТФ, 45:9 (2019), 26–29 ; V. Yu. Fominskiy, R. I. Romanov, A. Soloviev, I. S. Vasil'evskii, D. A. Safonov, A. A. Ivanov, P. V. Zinin, V. P. Filonenko, “Features of pulsed laser annealing of ВС$_{3}$ films on sapphire substrate”, Tech. Phys. Lett., 45:5 (2019), 446–449 |
|
2018 |
| 3. |
Д. А. Сафонов, А. Н. Виниченко, Н. И. Каргин, И. С. Васильевский, “Электронный транспорт в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs РНЕМТ при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 201–206 ; D. A. Safonov, A. N. Vinichenko, N. I. Kargin, I. S. Vasil'evskii, “Electron transport in phemt AlGaAs/InGaAs/GaAs РНЕМТ quantum wells at different temperatures: influence of one-side $\delta$-Si doping”, Semiconductors, 52:2 (2018), 189–194 |
9
|
| 4. |
Д. А. Сафонов, А. Н. Виниченко, Н. И. Каргин, И. С. Васильевский, “Эффективная масса и время релаксации импульса электронов в односторонне $\delta$-легированных PHEMT квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs с высокой электронной плотностью”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 120–127 ; D. A. Safonov, A. N. Vinichenko, N. I. Kargin, I. S. Vasil'evskii, “Electron effective mass and momentum relaxation time in one-sided $\delta$-doped PHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum wells with high electron density”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1174–1176 |
2
|
| 5. |
Д. А. Сафонов, А. Н. Виниченко, Н. И. Каргин, И. С. Васильевский, “Особенности ионизации доноров кремния и рассеяние электронов в псевдоморфных квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs при сильном одностороннем $\delta$-легировании”, Письма в ЖТФ, 44:4 (2018), 34–41 ; D. A. Safonov, A. N. Vinichenko, N. I. Kargin, I. S. Vasil'evskii, “Peculiarities of silicon-donor ionization and electron scattering in pseudomorphous AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum wells with heavy unilateral $\delta$-doping”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 145–148 |
3
|
|
Обратная связь: