|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
А. А. Шерченков, С. А. Козюхин, П. И. Лазаренко, А. В. Бабич, Н. А. Богословский, И. В. Сагунова, Е. Н. Редичев, “Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe–Sb$_{2}$Te$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 154–160   ; A. A. Sherchenkov, S. A. Kozyukhin, P. I. Lazarenko, A. V. Babich, N. A. Bogoslovskii, I. V. Sagunova, E. N. Redichev, “Electrical properties and transport mechanisms in phase change memory thin films of quasi-binary-line GeTe–Sb$_{2}$Te$_{3}$ chalcogenide semiconductors”, Semiconductors, 51:2 (2017), 146–152 |
2
|
|
Обратная связь: