|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
В. В. Привезенцев, А. П. Сергеев, В. С. Куликаускас, Д. А. Киселев, А. Ю. Трифонов, А. Н. Терещенко, “Структура, соcтав и свойства кремния, имплантированного ионами цинка и кислорода при повышенной температуре”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1376–1382   ; V. V. Privezentsev, A. P. Sergeev, V. S. Kulikauskas, D. A. Kiselev, A. Yu. Trifonov, A. N. Tereshchenko, “Structure, content and properties of Zn and O ion hot implanted silicon”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1650–1656 |
|
Обратная связь: