|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Н. А. Иванов, О. В. Лобанов, В. В. Пашук, М. О. Прыгунов, К. Г. Сизова, “Образование множественных сбоев в изделиях электроники под действием протонов и нейтронов”, ЖТФ, 90:4 (2020), 678–685   ; N. A. Ivanov, O. V. Lobanov, V. V. Pashuk, M. O. Prygunov, K. G. Sizova, “Multiple upsets induced by protons and neutrons in electronic devices”, Tech. Phys., 65:4 (2020), 652–659 |
|
2019 |
| 2. |
Н. А. Иванов, О. В. Лобанов, В. В. Пашук, М. О. Прыгунов, К. Г. Сизова, “Возникновение множественных сбоев под действием протонов в статических ОЗУ с технологической нормой 90 nm”, Письма в ЖТФ, 45:1 (2019), 20–22 ; N. A. Ivanov, O. V. Lobanov, V. V. Pashuk, M. O. Prygunov, K. G. Sizova, “Multiple upsets induced by protons in 90-nm SRAMs”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1205–1207 |
|
2018 |
| 3. |
Н. А. Иванов, О. В. Лобанов, В. В. Пашук, М. О. Прыгунов, К. Г. Сизова, “Образование кластеров спайков в CMOS-матрицах, облученных протонами и нейтронами”, Письма в ЖТФ, 44:21 (2018), 48–54 ; N. A. Ivanov, O. V. Lobanov, V. V. Pashuk, M. O. Prygunov, K. G. Sizova, “Clusters of spikes in CMOS image sensors irradiated by protons and neutrons”, Tech. Phys. Lett., 44:11 (2018), 973–975 |
|
Обратная связь: