|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
В. Е. Сизов, М. В. Степушкин, “Роль пьезоэффекта в аномальной зависимости проводимости гетероструктуры AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом от расстояния между контактами”, Письма в ЖТФ, 46:2 (2020), 22–24   ; V. E. Sizov, M. V. Stepushkin, “The role of piezoeffect in anomalous dependence of the conductivity of AlGaAs/GaAs heterostructure with a two-dimensional electron gas on the distance between contacts”, Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 69–72 |
|
2019 |
| 2. |
В. Е. Сизов, В. И. Борисов, П. И. Кузнецов, Ю. Я. Ткач, “Выявление поверхностных состояний в топологических изоляторах Bi$_{2-x}$Sb$_{x}$Te$_{3-y}$Se$_{y}$ по магнитотранспортным измерениям”, Физика твердого тела, 61:2 (2019), 239–242 ; V. E. Sizov, V. I. Borisov, P. I. Kuznetsov, Yu. Ya. Tkach, “Detection of surface states in Bi$_{2-x}$Sb$_{x}$Te$_{3-y}$Se$_{y}$ topological insulators by magnetotransport measurements”, Phys. Solid State, 61:2 (2019), 99–102 |
|
2017 |
| 3. |
В. И. Борисов, Н. А. Кувшинова, С. П. Курочка, В. Е. Сизов, М. В. Степушкин, А. Г. Темирязев, “Полупроводниковые структуры с одномерным квантовым каналом и планарными боковыми затворами, созданные методом импульсной силовой нанолитографии”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1534–1537 ; V. I. Borisov, N. A. Kuvshinova, S. P. Kurochka, V. E. Sizov, M. V. Stepushkin, A. G. Temiryazev, “Semiconductor structures with a one-dimensional quantum channel and in-plane side gates fabricated by pulse force nanolithography”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1481–1484 |
4
|
|
Обратная связь: