|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Alexander S. Pashchenko, Oleg V. Devitsky, Leonid S. Lunin, Marina L. Lunina, Olga S. Pashchenko, Eleonora M. Danilina, “Growth of nanotextured thin films of GaInAsP and GaInAsSbBi solid solutions on GaP substrates by pulsed laser deposition”, Наносистемы: физика, химия, математика, 14:5 (2023), 601–605   |
|
2021 |
| 2. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, Д. Л. Алфимова, А. С. Пащенко, Н. А. Яковенко, О. С. Пащенко, “Варизонные гетероструктуры Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$P$_{z}$As$_{1-z}$/GaAs для фотоэлектрических преобразователей”, Письма в ЖТФ, 47:20 (2021), 27–30 |
|
2020 |
| 3. |
Д. Л. Алфимова, Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, О. С. Пащенко, “Особенности фазовых переходов в висмутсодержащих упругонапряженных гетеросистемах AlGaInSbBi–InSb”, Физика твердого тела, 62:4 (2020), 523–528 ; D. L. Alfimova, L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. S. Pashchenko, O. S. Pashchenko, “Phase transitions in bismuth-containing elastostressed AlGaInSbBi–InSb heterosystems”, Phys. Solid State, 62:4 (2020), 597–602 |
1
|
| 4. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, Д. Л. Алфимова, А. С. Пащенко, О. С. Пащенко, Н. М. Богатов, “Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020), 648–653 ; L. S. Lunin, M. L. Lunina, D. L. Alfimova, A. S. Pashchenko, O. S. Pashchenko, N. M. Bogatov, “AlGaInSbAs solid solutions grown on inas substrates by zone recrystallization with a temperature gradient”, Semiconductors, 54:7 (2020), 759–764 |
| 5. |
М. Л. Лунина, Л. С. Лунин, Д. Л. Алфимова, А. С. Пащенко, О. С. Пащенко, “Изопериодические гетероструктуры Ga$_{x}$In$_{1-x}$Sb$_{y}$As$_{z}$P$_{1-y-z}$/InP для планарных $p$–$n$-фотодиодов”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 38–41 ; M. L. Lunina, L. S. Lunin, D. L. Alfimova, A. S. Pashchenko, O. S. Pashchenko, “Isoperiodic Ga$_{x}$In$_{1-x}$Sb$_{y}$As$_{z}$P$_{1-y-z}$/InP heterostructures for planar $p$–$n$ photodiodes”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 979–982 |
|
2019 |
| 6. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Д. Л. Алфимова, О. С. Пащенко, “Гетероструктуры Ga$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-y-z}$/InSb для фотоприемных устройств ($\lambda$ = 6–12 $\mu$m)”, Письма в ЖТФ, 45:16 (2019), 27–29 ; L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. S. Pashchenko, D. L. Alfimova, O. S. Pashchenko, “Heterostructures Ga$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-y-z}$/InSb for photodetector devices”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 823–826 |
|
Обратная связь: