|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. И. Ильясов, А. В. Емельянов, К. Э. Никируй, А. А. Миннеханов, Е. В. Кукуева, И. А. Суражевский, А. В. Ситников, В. В. Рыльков, В. А. Демин, “Частотно-кодированное управление проводимостью мемристоров на базе наноразмерных слоев LiNbO$_{3}$ и композита (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{x}$(LiNbO$_{3}$)$_{100-x}$ в обучаемых импульсных нейроморфных сетях”, Письма в ЖТФ, 47:13 (2021), 3–7   ; A. I. Ilyasov, A. V. Emelyanov, K. È. Nikiruy, A. A. Minnekhanov, E. V. Kukueva, I. A. Surazhevsky, A. V. Sitnikov, V. V. Ryl'kov, V. A. Demin, “Frequency-coded control of the conductance of memristors based on nanoscale layers of LiNbO$_3$ and (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{x}$(LiNbO$_{3}$)$_{100-x}$ composite in trained spiking neural networks”, Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 656–660 |
2
|
|
2020 |
| 2. |
К. Э. Никируй, А. И. Ильясов, А. В. Емельянов, А. В. Ситников, В. В. Рыльков, В. А. Демин, “Мемристоры на основе наноразмерных слоев LiNbO$_{3}$ и композита (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{x}$(LiNbO$_{3}$)$_{100-x}$”, Физика твердого тела, 62:9 (2020), 1562–1565 ; K. È. Nikiruy, A. I. Ilyasov, A. V. Emelyanov, A. V. Sitnikov, V. V. Ryl'kov, V. A. Demin, “Memristors based on nanoscale layers LiNbO$_{3}$ and (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{x}$(LiNbO$_{3}$)$_{100-x}$”, Phys. Solid State, 62:9 (2020), 1732–1735 |
7
|
|
2019 |
| 3. |
К. Э. Никируй, А. В. Емельянов, В. В. Рыльков, А. В. Ситников, В. А. Демин, “Адаптивные свойства спайковых нейроморфных сетей с синаптическими связями на основе мемристивных элементов”, Письма в ЖТФ, 45:8 (2019), 19–23 ; K. È. Nikiruy, A. V. Emelyanov, V. V. Ryl'kov, A. V. Sitnikov, V. A. Demin, “Adaptive properties of spiking neuromorphic networks with synapses based on memristive elements”, Tech. Phys. Lett., 45:4 (2019), 386–390 |
16
|
|
2018 |
| 4. |
К. Э. Никируй, А. В. Емельянов, В. А. Демин, В. В. Рыльков, А. В. Ситников, П. К. Кашкаров, “Прецизионный алгоритм переключения мемристора в состояние с заданным сопротивлением”, Письма в ЖТФ, 44:10 (2018), 20–28 ; K. È. Nikiruy, A. V. Emelyanov, V. A. Demin, V. V. Ryl'kov, A. V. Sitnikov, P. K. Kashkarov, “A precise algorithm of memristor switching to a state with preset resistance”, Tech. Phys. Lett., 44:5 (2018), 416–419 |
32
|
|
Обратная связь: