|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
1. |
S. X. Sun, Y. H. Zhong, Y. F. Hu, R. X. Yao, “Enhancement of breakdown characteristics of AlGaN|GaN HEMT with back barrier plus high-$k$ passivation layer”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 960 |
|