|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
В. И. Егоркин, В. Е. Земляков, А. В. Неженцев, А. А. Зайцев, В. И. Гармаш, “Особенности температурной стабильности сопротивления омических контактов к наногетероструктурам на основе GaAs и GaN”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1260–1263   |
| 2. |
В. И. Егоркин, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, А. А. Зайцев, В. И. Гармаш, “Исследование ионной имплантации азота через слой нитрида кремния для межприборной изоляции силовых GaN/Si-транзисторов”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021), 15–17 |
|
2020 |
| 3. |
В. И. Гармаш, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, А. В. Ковальчук, С. Ю. Шаповал, “Исследование влияния атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 748–752 ; V. I. Garmash, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, A. V. Kovalchuk, S. Yu. Shapoval, “Investigation of the effect of atomic composition on the plasma-chemical etching rate of silicon nitride in high-power transistors based on an AlGaN/GaN heterojunction”, Semiconductors, 54:8 (2020), 895–899 |
|
Обратная связь: