|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Осипов, А. С. Гращенко, А. В. Кандаков, Е. В. Осипова, К. П. Котляр, Е. В. Убыйвовк, “Самоорганизация состава пленок Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N, выращенных на гибридных подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 63:3 (2021), 363–369   ; S. A. Kukushkin, Sh. Sh. Sharofidinov, A. V. Osipov, A. S. Grashchenko, A. V. Kandakov, E. V. Osipova, K. P. Kotlyar, E. V. Ubyivovk, “Self-organization of the composition of Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N films grown on hybrid SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 63:3 (2021), 442–448 |
8
|
| 2. |
Д. А. Индейцев, Е. В. Осипова, “Анализ водородоустойчивости алюминиевых сплавов”, Письма в ЖТФ, 47:4 (2021), 15–18 ; D. A. Indeitsev, E. V. Osipova, “An analysis of the hydrogen embrittlement resistance of aluminum alloys”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 170–173 |
|
2019 |
| 3. |
Д. А. Индейцев, Е. В. Осипова, “Влияние водорода на флуктуационное охрупчивание алюминия”, Письма в ЖТФ, 45:17 (2019), 31–34 ; D. A. Indeitsev, E. V. Osipova, “The effect of hydrogen on fluctuation embrittlement of aluminum”, Tech. Phys. Lett., 45:9 (2019), 882–885 |
3
|
|
2018 |
| 4. |
А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, В. И. Николаев, А. В. Осипов, Е. В. Осипова, И. П. Сошников, “Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$, синтезированных на подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 60:5 (2018), 851–856 ; A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, V. I. Nikolaev, A. V. Osipov, E. V. Osipova, I. P. Soshnikov, “Study of the anisotropic elastoplastic properties of $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ films synthesized on SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 60:5 (2018), 852–857 |
25
|
|
2016 |
| 5. |
С. А. Кукушкин, В. И. Николаев, А. В. Осипов, Е. В. Осипова, А. И. Печников, Н. А. Феоктистов, “Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 58:9 (2016), 1812–1817 ; S. A. Kukushkin, V. I. Nikolaev, A. V. Osipov, E. V. Osipova, A. I. Pechnikov, N. A. Feoktistov, “Epitaxial gallium oxide on a SiC/Si substrate”, Phys. Solid State, 58:9 (2016), 1876–1881 |
23
|
|
Обратная связь: