|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
1. |
Л. А. Сайпулаева, К. Ш. Хизриев, Н. В. Мельникова, А. В. Тебеньков, А. Н. Бабушкин, В. С. Захвалинский, А. И. Риль, С. Ф. Маренкин, М. М. Гаджиалиев, З. Ш. Пирмагомедов, “Особенности поведения электро- и магнитосопротивления Cd$_{3}$As$_{2}$–30 mol.% MnAs при высоких давлениях”, Физика твердого тела, 63:8 (2021), 1146–1150 ; L. A. Saypulaeva, K. Sh. Khizriev, N. V. Melnikova, A. V. Tebenkov, A. N. Babushkin, V. S. Zakhvalinskii, A. I. Ril, S. F. Marenkin, M. M. Gadzhialiev, Z. Sh. Pirmagomedov, “Electrical resistance and magnetoresistance of Cd$_{3}$As$_{2}$–30 mol.% MnAs under high pressure”, Phys. Solid State, 63:8 (2021), 1301–1304 |
1
|
2. |
Л. А. Сайпулаева, З. Ш. Пирмагомедов, М. М. Гаджиалиев, А. Г. Алибеков, Н. В. Мельникова, В. С. Захвалинский, А. И. Риль, С. Ф. Маренкин, “Спин-поляризованный электрический ток в нанокомпозите Cd$_{48.6}$Mn$_{11.4}$As$_{40}$”, Физика твердого тела, 63:4 (2021), 427–432 ; L. A. Saypulaeva, Z. Sh. Pirmagomedov, M. M. Gadzhialiev, A. G. Alibekov, N. V. Melnikova, V. S. Zakhvalinskii, A. I. Ril, S. F. Marenkin, “Spin-polarized electric current in Cd$_{48.6}$Mn$_{11.4}$As$_{40}$ nanocomposite”, Phys. Solid State, 63:4 (2021), 644–649 |
2
|
|
2020 |
3. |
Л. А. Сайпулаева, М. М. Гаджиалиев, З. Ш. Пирмагомедов, Т. Н. Эфендиева, А. Г. Алибеков, Ш. Б. Абдулвагидов, Н. В. Мельникова, В. С. Захвалинский, С. Ф. Маренкин, “Синтез и исследование электрических свойств диарсенида трикадмия с наногранулами MnAs”, ЖТФ, 90:7 (2020), 1128–1131 ; L. A. Saypulaeva, M. M. Gadzhialiev, Z. Sh. Pirmagomedov, T. N. Efendieva, A. G. Alibekov, Sh. B. Abdulvagidov, N. V. Melnikova, V. S. Zakhvalinskii, S. F. Marenkin, “The synthesis and investigation of the electrical properties of tricadmium diarsenide with MnAs nanogranules”, Tech. Phys., 65:7 (2020), 1083–1086 |
3
|
|
2017 |
4. |
Р. А. Алиев, Г. М. Гаджиев, М. М. Гаджиалиев, А. М. Исмаилов, З. Ш. Пирмагомедов, “Особенности вольт-фарадных характеристик МДП-структуры Cu–SiO$_{2}$–$p$-InSb”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 383–385 ; R. A. Aliev, G. M. Gadjiev, M. M. Gadzhialiev, A. M. Ismailov, Z. Sh. Pirmagomedov, “Specific features of the capacitance–voltage characteristics of a Cu–SiO$_2$–$p$-InSb MIS structure”, Semiconductors, 51:3 (2017), 367–369 |
|
2016 |
5. |
М. М. Гаджиалиев, З. Ш. Пирмагомедов, Т. Н. Эфендиева, “Влияние одноосной деформации на вольт-амперную характеристику $p$-Ge/$n$-GaAs гетероструктуры”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1075–1076 ; M. M. Gadzhialiev, Z. Sh. Pirmagomedov, T. N. Efendieva, “Effect of uniaxial deformation on the current–voltage characteristic of a $p$-Ge/$n$-GaAs heterostructure”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1054–1055 |
|