Научная биография: |
Божевольнов, Владислав Борисович (1954-).
Развитие и использование метода эффекта поля в электролите для исследования электрофизических свойств поверхности моноатомных, бинарных многокомпонентных полупроводников и полуметаллов : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10; Ленинградский ГУ им. А. А. Жданова. - Ленинград, 1986. - 15 с. |
|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
А. М. Яфясов, В. Б. Божевольнов, Е. И. Рюмцев, А. П. Ковшик, В. Ю. Михайловский, “Новый механизм поляризации полупроводника на интерфейсе с органическим диэлектриком”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 202–204   ; A. M. Yafyasov, V. B. Bozhevol'nov, E. I. Ryumtsev, A. P. Kovshik, V. Yu. Mikhailovskii, “New mechanism of semiconductor polarization at the interface with an organic insulator”, Semiconductors, 51:2 (2017), 193–195 |
|
1984 |
| 2. |
О. В. Романов, В. Б. Божевольнов, Ю. Н. Мясоедов, “Эффект поля на поверхности полуметалла HgTe и полупроводника
Cd$_{0.2}$Hg$_{0.8}$Te”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1064–1068 |
|
Обратная связь: