| |
Поспелов Валентин Васильевич
|
| В базах данных Math-Net.Ru |
| Публикаций: |
1 |
| Научных статей: |
1 |
| Статистика просмотров: |
| Эта страница: | 93 | | Страницы публикаций: | 41 | | Полные тексты: | 26 |
|
|
профессор |
|
доктор физико-математических наук (1979) |
| Специальность ВАК: |
01.04.10 (физика полупроводников) |
| Сайт: |
https://miem.itsoft.su/struct/f/fit/phisika/personal.html |
Основные темы научной работы |
микроэлектроника и полупроводниковые приборы |
Научная биография: |
Окончил физический факультет Ленинградского государственного университета.
Поспелов, Валентин Васильевич.
К вопросу о механизме образования скрытого электрофотографического изображения : диссертация ... : кандидата физико-математических наук : 01.00.00 / В.В. Поспелов. - Москва, 1965. - 163 с. : ил.
Поспелов, Валентин Васильевич.
Нестационарные процессы в структуре металл - диэлектрик - полупроводник и приборы на их основе : автореф. дис. на соиск. учён. степ. д. ф.-м. н. : (01.04.10). - Москва : [б. и.], 1979. - [1], 40 с. |
|
 |
https://www.mathnet.ru/rus/person177604 |
 |
Список публикаций на Google Scholar |
 |
Список публикаций на ZentralBlatt |
|
|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1984 |
| 1. |
Е. А. Боброва, В. С. Вавилов, Ю. Д. Вулис, Г. Н. Галкин, В. В. Поспелов, “Образование и температурная стабильность дефектов в приповерхностном слое Si структур Si$-$SiO$_{2}$, имплантированных ионами Ti”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 696–699 |
|
|
| Организации |
|
Обратная связь: