Шленский, Алексей Александрович.
Разработка методов получения и исследование свойств p-n-гетероструктур на основе твёрдых растворов в системе GaAs-AlAs для оптоэлектронных устройств : Автореферат дис. ... канд. технических наук. (05.17.16) / Гос. науч.-исслед. и проектный ин-т редкометалл. пром-сти "ГИРЕДМЕТ". - Москва : [б. и.], 1974. - 26 с.
А. С. Волков, А. Л. Липко, Ш. Меретлиев, А. А. Шленский, “Перенос неравновесных носителей заряда в варизонном полупроводнике
в случае примесной излучательной рекомбинации”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 471–474