|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
А. Н. Данилин, А. И. Юрин, Н. М. Кондратьев, Д. Д. Ружицкая, Н. Ю. Дмитриев, Ф. В. Булыгин, С. Г. Семенчинский, М. И. Красивская, К. Н. Миньков, “Оценка влияния неравномерности поверхности оптических кристаллических микрорезонаторов на их дисперсионные характеристики”, Компьютерная оптика, 47:4 (2023), 580–587  |
|
1988 |
| 2. |
В. М. Пудалов, С. Г. Семенчинский, “Физический эталон единицы электрического сопротивления на основе квантового эффекта Холла”, УФН, 156:1 (1988), 178–181 ; V. M. Pudalov, S. G. Semenchinskii, “A physical standard of the unit of electrical resistance based on the quantum Hall effect”, Phys. Usp., 31:9 (1988), 880–881 |
4
|
|
1985 |
| 3. |
В. М. Пудалов, С. Г. Семенчинский, В. С. Эдельман, “Заряд и потенциал инверсионного слоя МДП-структуры в квантующем магнитном поле”, УФН, 146:3 (1985), 536–538 ; V. M. Pudalov, S. G. Semenchinskii, V. S. Edel'man, “Charge and potential of an inversion layer in a metalinsulator-semiconductor structure in a quantizing magnetic field”, Phys. Usp., 28:7 (1985), 635–636 |
| 4. |
В. М. Пудалов, С. Г. Семенчинский, “Изучение гальвано-магнитных свойств двумерного слоя электронов в кремнии в условиях квантования холловского сопротивления”, УФН, 146:3 (1985), 534–536 ; V. M. Pudalov, S. G. Semenchinskii, “Galvanomagnetic properties of a 2D electron layer in silicon under conditions of a quantized Hall resistance”, Phys. Usp., 28:7 (1985), 634–635 |
1
|
|
Обратная связь: