Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Игнатьев Иван Владимирович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 7
Научных статей: 7

Статистика просмотров:
Эта страница:77
Страницы публикаций:294
Полные тексты:118
доктор физико-математических наук (2008)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)
Дата рождения: 4.07.1951
E-mail:
Сайт: https://prabook.com/web/ivan_vladimirovich.ignatev/456820

Научная биография:

Игнатьев, Иван Владимирович. Исследование вибронных спектров кристаллов, активированных ионами редких земель : дис. ... канд. физ.-матем. наук : 01.04.05. - Ленинград, 1979. - 237 с. : ил.

Игнатьев, Иван Владимирович. Энергетическая и спиновая динамика носителей в полупроводниковых квантовых точках : дис. ... докт. физ.-матем. наук : 01.04.10; [Место защиты: ГОУВПО "СПбГУ"]. - Санкт-Петербург, 2008. - 319 с. : ил.


https://www.mathnet.ru/rus/person174618
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=20065

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2021
1. Д. Ф. Мурсалимов, А. В. Михайлов, А. С. Курдюбов, А. В. Трифонов, И. В. Игнатьев, “Нетривиальная зависимость спектральных характеристик экситонов в квантовых ямах от мощности резонансного оптического возбуждения”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  963–968  mathnet  elib
2. Д. К. Логинов, П. А. Белов, И. Я. Герловин, И. В. Игнатьев, “Влияние электрического поля на движущийся экситон в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  779–784  mathnet  elib
2020
3. A. S. Kurdyubov, B. F. Gribakin, A. V. Mikhailov, A. V. Trifonov, Yu. P. Efimov, S. A. Eliseev, V. A. Lovtsyus, I. V. Ignatiev, “Energy spectrum in a shallow GaAs/AlGaAs quantum well probed by spectroscopy of nonradiative broadening of exciton resonances”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020),  1261  mathnet; Semiconductors, 54:11 (2020), 1514–1517
4. E. S. Khramtsov, B. F. Gribakin, A. V. Trifonov, I. V. Ignatiev, “Modeling of exciton exchange interaction in GaAs/AlGaAs quantum wells”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020),  1258  mathnet; Semiconductors, 54:11 (2020), 1503–1505
2017
5. А. С. Курдюбов, А. В. Трифонов, И. Я. Герловин, И. В. Игнатьев, А. В. Кавокин, “Фотоиндуцированное поглощение терагерцeвого излучения в полуизолирующем кристалле GaAs”, Физика твердого тела, 59:7 (2017),  1274–1277  mathnet  elib; A. S. Kurdyubov, A. V. Trifonov, I. Ya. Gerlovin, I. V. Ignat'ev, A. V. Kavokin, “Photoinduced absorption of THz radiation in semi-insulating GaAs crystal”, Phys. Solid State, 59:7 (2017), 1298–1301 3
1992
6. М. В. Белоусов, И. В. Игнатьев, Н. В. Орехова, В. Ю. Давыдов, “Влияние беспорядка в кислородной подрешетке на спектры комбинационного рассеяния кристаллов YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$. Эксперимент и расчет”, Физика твердого тела, 34:9 (1992),  2804–2813  mathnet  isi
1990
7. И. В. Игнатьев, “Новые параметры моделей динамики решетки кристаллов CaF$_{2}$, SrF$_{2}$ и BaF$_{2}$”, Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2698–2704  mathnet  isi

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024