|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
В. И. Борисов, А. Т. Гореленок, С. Г. Дмитриев, В. Е. Любченко, Д. Н. Рехвиашвили, А. С. Рогашков, “Диоды Ганна на основе гетероструктуры
$n$-InGaAs$/n^{+}$-InP”, Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992), 611–613  |
|
1991 |
| 2. |
А. Т. Гореленок, Д. Н. Рехвиашвили, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.88}$Ga$_{0.12}$As$_{0.23}$P$_{0.77}$-гетероструктуры с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991), 908–912 |
|
1990 |
| 3. |
А. Т. Гореленок, Д. Н. Рехвиашвили, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Двумерный электронный газ в гетероструктурах
In$_{0.88}$Ga$_{0.12}$As$_{0.23}$P$_{0.77}$/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As,
выращенных жидкофазной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 16:8 (1990), 47–50  |
|
1988 |
| 4. |
Ж. И. Алфров, В. И. Босый, А. Т. Гореленок, А. В. Иващук, Н. Д. Ильинская, М. Н. Мизеров, И. А. Мокина, Д. Н. Рехвиашвили, Н. М. Шмидт, “Барьеры Шоттки и полевые транзисторы на основе
InGaAs/InP”, Письма в ЖТФ, 14:19 (1988), 1807–1810 |
|
1987 |
| 5. |
А. Т. Гореленок, В. В. Мамутин, Д. В. Пуляевский, Д. Н. Рехвиашвили, Н. М. Шмидт, “Исследование времени жизни неосновных носителей в узкозонной области
диодных InGaAsP/InP-структур”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1498–1501 |
| 6. |
З. В. Джибути, Н. Д. Долидзе, Г. Л. Офенгейм, Д. Н. Рехвиашвили, Т. С. Чолокашвили, “ИК поглощение арсенида галлия, облученного при температуре 77 K”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 930–932 |
| 7. |
Л. А. Волков, А. Т. Гореленок, В. Н. Лукьянов, И. А. Рачков, Д. Н. Рехвиашвили, Н. М. Шмидт, С. Д. Якубович, “Измерение АЧХ быстродействующих фотоприемников с использованием гомодинной стекловолоконной схемы получения амплитудных биений оптического сигнала”, Письма в ЖТФ, 13:17 (1987), 1059–1062 |
|
Обратная связь: