|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1989 |
| 1. |
А. А. Лебедев, В. И. Митрохин, С. И. Рембеза, В. В. Свиридов, М. Н. Степанова, Н. П. Ярославцев, “Электронно-механический резонанс на глубоких центрах
в $p^{+}{-}p^{0}{-}\pi{-}n^{0}$-структурах арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989), 897–899  |
|
1987 |
| 2. |
Б. М. Даринский, Н. В. Измайлов, В. А. Логинов, В. И. Митрохин, Н. П. Ярославцев, “Неупругая релаксация в твердых телах, связанная с нарушениями их поверхности”, Физика твердого тела, 29:12 (1987), 3529–3533  |
| 3. |
О. Г. Кутукова, В. И. Митрохин, С. И. Рембеза, Н. П. Ярославцев, “Наблюдение электронно-механического резонанса на глубоких уровнях
в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$, имплантированных ионами
железа”, Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987), 1335–1336 |
|
1986 |
| 4. |
В. И. Митрохин, С. И. Рембеза, В. В. Свиридов, Н. П. Ярославцев, “Диэлектрическая релаксация, связанная с глубокими уровнями
в высокоомных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2230–2233 |
| 5. |
В. А. Логинов, Н. М. Медведев, В. И. Митрохин, С. И. Рембеза, Н. П. Ярославцев, “Внутреннее трение в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$,
имплантированных ионами бора”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 913–915 |
|
1985 |
| 6. |
В. И. Митрохин, С. И. Рембеза, В. В. Свиридов, Н. П. Ярославцев, “Внутреннее трение, связанное с глубокими уровнями в полярных полупроводниках”, Физика твердого тела, 27:7 (1985), 2081–2085 |
|
1984 |
| 7. |
В. И. Митрохин, С. И. Рембеза, Н. П. Ярославцев, “Внутреннее трение в полуизолирующем арсениде галлия”, Физика твердого тела, 26:7 (1984), 2228–2229 |
|
Обратная связь: