|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
Н. А. Урманов, “Немонотонная изотермическая релаксация тока
в $n{-}\pi{-}p$-структуре, связанная с инверсией электрического поля”, Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992), 1671–1674  |
| 2. |
Н. А. Урманов, “Анализ температурной зависимости импеданса диода с неоднородной базой
из перекомпенсированного полупроводника”, Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992), 1669–1671 |
| 3. |
Н. А. Урманов, “Релаксация емкости в $n{-}\pi{-}p$-переходе с произвольным уровнем
легирования $n$- и $p$-областей”, Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992), 1635–1642 |
|
1986 |
| 4. |
Т. А. Кирилова, Н. А. Урманов, М. К. Юнусов, “Релаксационная ТООЗ спектроскопия радиационных дефектов в кремнии,
облученном нейтронами”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 897–902 |
|
1985 |
| 5. |
Н. А. Урманов, О. Хусаинов, “О полевом гашении остаточной проводимости”, Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985), 1900–1901 |
| 6. |
С. С. Джунаидов, Н. А. Урманов, “Релаксация тока в $n{-}\nu{-}n$-структурах на основе
компенсированного кремния, связанная с нарушением нейтральности”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 759–762 |
|
Обратная связь: