|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
М. М. Аникин, А. С. Зубрилов, А. А. Лебедев, А. П. Стрельчук, А. Е. Черенков, “Рекомбинационные процессы в $6H$-SiC $p{-}n$-структурах
и влияние на них глубоких центров”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 479–486  |
| 2. |
М. М. Аникин, А. Н. Андреев, А. А. Лебедев, С. Н. Пятко, М. Г. Растегаева, Н. С. Савкина, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Высокотемпературный диод Шоттки Au$-$SiC-$6H$”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 328–333 |
|
1990 |
| 3. |
М. М. Аникин, Н. И. Кузнецов, А. А. Лебедев, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, “Связь желтой электролюминесценции в $6H$-SiC с глубокими центрами”, Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990), 1384–1390 |
|
1989 |
| 4. |
М. М. Аникин, В. В. Евстропов, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, “Разновидность неклассического термоинжекционного тока
в карбид-кремниевых $p{-}n$-структурах”, Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989), 1813–1818 |
| 5. |
М. М. Аникин, В. В. Евстропов, И. В. Попов, В. Н. Растегаев, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, “Неклассический термоинжекционный ток в карбид-кремниевых
$p{-}n$-структурах”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 647–651 |
| 6. |
М. М. Аникин, П. А. Иванов, А. Л. Сыркин, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков, “SiC-6H полевой транзистор с рекордной для карбидкремниевых
транзисторов крутизной”, Письма в ЖТФ, 15:16 (1989), 36–42  |
|
1988 |
| 7. |
М. М. Аникин, М. Е. Левинштейн, И. В. Попов, В. П. Растегаев, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, “Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя
в карбид-кремниевых $p{-}n$-переходах”, Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988), 1574–1579 |
| 8. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, В. П. Растегаев, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, В. Е. Челноков, “Электрические характеристики эпитаксиальных
$p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур на основе карбида кремния политипа $6H$”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 298–300 |
| 9. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, С. Н. Пятко, В. П. Растегаев, А. Л. Сыркин, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков, “Электростатические свойства SiC-$6H$-структур с резким
$p{-}n$-переходом”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 133–136 |
| 10. |
М. М. Аникин, С. Н. Вайнштейн, М. Е. Левинштейн, A. M. Стрельчук, А. Л. Сыркин, “Об отрицательном температурном коэффициенте напряжения пробоя
в карбидкремниевых $p{-}n$ переходах”, Письма в ЖТФ, 14:6 (1988), 545–547 |
|
1986 |
| 11. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, А. А. Лебедев, А. Л. Сыркин, А. В. Суворов, “Емкостная спектроскопия $p{-}n$-переходов на основе эпитаксиального
$4H$-SiC, полученного ионной имплантацией Al”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2169–2172 |
| 12. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, А. В. Суворов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Структуры с ионно-имплантированным $p{-}n$-переходом на основе
эпитаксиального $4H$-SiC с $S$-образной вольтамперной характеристикой”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1654–1657 |
| 13. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, А. В. Суворов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Исследование вольтамперных характеристик диодных структур
на основе карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 844–848 |
|
1985 |
| 14. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, А. Л. Сыркин, А. В. Суворов, “Иследование глубоких уровней в SiC методами емкостной спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 114–117 |
|
1984 |
| 15. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, В. Е. Севастьянов, А. Л. Сыркин, А. Л. Суворов, В. Е. Челноков, Г. П. Шпынев, “Выпрямительный диод на основе карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 10:17 (1984), 1053–1056 |
|
Обратная связь: