|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
Е. С. Юрова, А. В. Картавых, “Оптимальные параметры ЭС твердого раствора GaAs$_{1-x}$P$_{x}$
для изготовления датчиков давления”, Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991), 1827–1829  |
|
1989 |
| 2. |
П. М. Гринштейн, Р. И. Гучетль, В. В. Заблоцкий, Н. А. Иванов, В. Ф. Космач, Н. Н. Леонов, В. В. Петренко, А. А. Стук, В. В. Федоров, В. А. Харченко, Е. С. Юрова, “Исследование флуктуаций удельного сопротивления
в $\gamma$-легированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989), 1088–1092 |
|
1988 |
| 3. |
А. В. Картавых, Е. С. Юрова, М. Г. Мильвидский, С. П. Гришина, И. А. Ковальчук, “Поведение центров EL2 в монокристаллах полуизолирующего GaAs
при термообработках”, Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988), 2035–2038 |
| 4. |
А. В. Картавых, С. П. Гришина, М. Г. Мильвидский, Н. С. Рытова, И. В. Степанцова, Е. С. Юрова, “Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах
арсенида галлия, полученных методом Чохральского”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1004–1010 |
|
1987 |
| 5. |
Н. Г. Колин, В. Б. Освенский, Н. С. Рытова, Е. С. Юрова, “Электрические свойства арсенида индия, облученного быстрыми
нейтронами”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 521–524 |
|
1986 |
| 6. |
А. Г. Забродский, В. А. Евсеев, Р. Ф. Коноплева, В. А. Чеканов, Е. С. Юрова, В. В. Федоров, М. С. Саидов, А. Юсупов, И. Г. Атабаев, “Электрофизические свойства нейтронно-легированного сплава Si$-$Ge
в области составов со стороны кремния
II. Гальваномагнитные свойства и неоднородности”, Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986), 2052–2060 |
| 7. |
А. Г. Забродский, В. А. Евсеев, Р. Ф. Коноплева, В. А. Чеканов, Е. С. Юрова, В. В. Федоров, М. С. Саидов, А. Юсупов, И. Г. Атабаев, “Электрофизические свойства нейтронно-легированного сплава
Si$-$Ge в области составов со стороны кремния
I. Электрофизические параметры и $\varepsilon_{1}$-проводимость”, Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986), 2042–2051 |
| 8. |
Е. С. Юрова, В. В. Федоров, М. А. Мороховец, О. М. Гребенникова, “Особенности формирования неоднородности удельного сопротивления
нейтронно-легированного кремния”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 933–937 |
| 9. |
Н. Г. Колин, В. Б. Освенский, Н. С. Рытова, Е. С. Юрова, “Свойства ядерно-легированного арсенида индия”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 822–827 |
|
1985 |
| 10. |
Н. С. Рытова, Е. С. Юрова, М. Н. Кеворков, А. Н. Попков, Т. И. Громова, Е. С. Фридштанд, “О природе формирования неоднородности в InSb”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1585–1588 |
| 11. |
М. Л. Кожух, И. С. Шлимак, В. В. Федоров, Е. С. Юрова, “О возможности создания методом нейтронного легирования низкоомных образцовых сопротивлений”, Письма в ЖТФ, 11:3 (1985), 129–131  |
|
Обратная связь: