|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1986 |
1. |
Г. С. Эйджюнас, Ю. Ф. Каваляускас, А. Ю. Шилейка, “Фотоотражение имплантированных B$^{+}$ кристаллов
Cd$_{0.27}$Hg$_{0.73}$Te в области краевого поглощения”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 789–793 |
|
1985 |
2. |
Г. Р. Валюконис, Д. А. Гусейнова, Г. З. Кривайте, А. Ю. Шилейка, “Зависимость края поглощения SnSe от гидростатического давления”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 282–285 |
|
1983 |
3. |
С. Г. Асатрян, А. С. Киндурис, Г. З. Кривайте, Г. А. Курбатов, А. Ю. Шилейка, Ю. В. Шмарцев, “Оптические свойства тонких слоев Ta$_{2}$O$_{5}$ на кремнии”, ЖТФ, 53:12 (1983), 2362–2366 |
4. |
Е. В. Гураускас, Ю. Ф. Каваляускас, И. Н. Петров, А. Ю. Шилейка, “Профиль распределения дефектов в ионно-имплантированных кристаллах
Hg$_{0.8}$Cd$_{0.2}$Te”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1322–1324 |
5. |
Г. Р. Валюконис, М. А. Низаметдинова, А. Ю. Шилейка, “Особенности края поглощения TlSe”, Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983), 946–948 |
|