Научная биография: |
Мордовец, Николай Андреевич.
Нелинейные эффекты в переходах металл-полупроводник с барьером Шоттки при воздействии излучения субмиллиметрового и дальнего ИК-диапазонов : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Ин-т радиотехники и электроники. - Москва, 1990. - 192 с. : ил. |
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1990 |
1. |
Н. А. Варванин, В. Н. Губанков, И. Н. Котельников, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Н. А. Мордовец, “Фотопроводимость в области циклотронного резонанса двумерного
электронного газа в GaAs/AlGaAs при больших факторах заполнения”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 635–637 |
|
1989 |
2. |
С. Д. Ганичев, К. Ю. Глух, И. Н. Котельников, Н. А. Мордовец, А. Я. Шульман, И. Д. Ярошецкий, “Точечный быстродействующий фотоприемник лазерного субмиллиметрового
излучения”, Письма в ЖТФ, 15:8 (1989), 8–10 |
|
1986 |
3. |
И. Н. Котельников, Н. А. Мордовец, А. Я. Шульман, “Анализ чувствительности диодов с барьером Шоттки к инфракрасному
излучению”, ЖТФ, 56:11 (1986), 2199–2209 |
4. |
Н. А. Мордовец, А. Я. Шульман, “Частотная зависимость нелинейного отклика контакта
металл–полупроводник с барьером Шоттки”, ЖТФ, 56:11 (1986), 2189–2198 |
|
1983 |
5. |
Ю. Я. Дивин, Н. А. Мордовец, “О ширине линии джозефсоновской генерации в дальней инфракрасной области
спектра”, Письма в ЖТФ, 9:4 (1983), 245–249 |
|