|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1987 |
| 1. |
В. А. Геворкян, К. М. Гамбарян, Т. С. Аргунова, И. Л. Шульпина, “Дислокационная структура и вольт-амперные характеристики диодных плавных гетеросистем $n-In\,As/p-In\,As_{1-x}\,P_{x}$, полученных методом электрожидкостной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 13:18 (1987), 1134–1139   |
|
1986 |
| 2. |
В. М. Арутюнян, К. М. Гамбарян, В. А. Геворкян, “Электрожидкостная эпитаксия: новый подход к управлению составом
эпитаксиальных слоев твердых растворов соединений A$^{3}$B$^{5}$”, ЖТФ, 56:11 (1986), 2145–2151 |
|
1984 |
| 3. |
К. М. Гамбарян, В. А. Геворкян, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, Ю. В. Шмарцев, “Анализ распределения примеси при равновесной электрожидкостной
эпитаксии”, ЖТФ, 54:10 (1984), 2011–2015 |
|
Обратная связь: