|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1988 |
| 1. |
А. В. Марков, Э. М. Омельяновский, В. Б. Освенский, А. Я. Поляков, И. А. Ковальчук, В. И. Райхштейн, М. В. Тишкин, “Влияние дислокаций на распределение глубоких центров
в полуизолирующем GaAs”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 44–48  |
|
1987 |
| 2. |
А. В. Говорков, Э. М. Омельяновский, А. Я. Поляков, В. И. Райхштейн, В. А. Фридман, “Новый метод исследования микронеоднородности локальных центров в высокоомных полупроводниковых материалах с использованием РЭМ”, Письма в ЖТФ, 13:7 (1987), 385–388  |
|
1986 |
| 3. |
Э. М. Омельяновский, А. Я. Поляков, Н. С. Рытова, В. И. Райхштейн, “Об определении параметров глубоких центров в высокоомных
полупроводниках методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии
глубоких уровней
(ФЭРСГУ)”, Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986), 1428–1432 |
|
1985 |
| 4. |
В. А. Курбатов, Э. М. Омельяновский, А. Я. Поляков, В. И. Райхштейн, В. В. Каратаев, А. Я. Нашельский, С. В. Якобсон, “Поглощение квантов с энергией, меньшей оптической энергии ионизации
примеси в фосфиде индия, легированном марганцем”, Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985), 1763–1767 |
|
1984 |
| 5. |
В. В. Воронков, Г. И. Воронкова, В. П. Калинушкин, Д. И. Мурин, Э. М. Омельяновский, Л. Я. Первова, А. М. Прохоров, В. И. Райхштейн, “Новый тип примесных дефектов в полуизолирующем арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1363–1366 |
|
Обратная связь: