|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
Ю. В. Выжигин, Н. А. Соболев, Б. Н. Грессеров, Е. И. Шек, “Влияние неравновесных собственных точечных дефектов на образование
электрически активных центров в кремниевых $p{-}n$-структурах при
термообработке”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 1938–1944  |
|
1991 |
| 2. |
Ю. В. Выжигин, Н. А. Соболев, Б. Н. Грессеров, Е. И. Шек, “Влияние атмосферы термообработки на образование центров с глубокими
уровнями”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1324–1331 |
| 3. |
Б. Н. Грессеров, Н. А. Соболев, Ю. В. Выжигин, В. В. Елисеев, В. М. Ликунова, “Влияние атмосферы термообработки на диффузию алюминия в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991), 807–812 |
|
1990 |
| 4. |
Б. Н. Грессеров, Т. Т. Мнацаканов, “Оценка роли электронно-дырочного рассеяния в переносе носителей
заряда в многослойных арсенид-галлиевых структурах”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990), 1668–1670 |
|
1989 |
| 5. |
А. Ф. Вильянов, Ю. В. Выжигин, Б. Н. Грессеров, В. В. Елисеев, В. М. Ликунова, С. А. Максутова, Н. А. Соболев, “Высоковольтные лавинные диодные структуры большой площади”, ЖТФ, 59:10 (1989), 154–156  |
| 6. |
Б. Н. Грессеров, Т. Т. Мнацаканов, “О соотношении подвижностей носителей заряда в полупроводниках
$n$- и $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1658–1663 |
|
1988 |
| 7. |
Ю. В. Выжигин, Б. Н. Грессеров, Н. А. Соболев, “Исследование влияния глубоких уровней на микроплазменный пробой
$p{-}n$-переходов”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 536–538 |
|
1986 |
| 8. |
Б. Н. Грессеров, Т. Т. Мнацаканов, “О влиянии эффекта полного увлечения неосновных носителей заряда
основными на свойства многослойных полупроводниковых структур”, ЖТФ, 56:9 (1986), 1827–1829 |
|
Обратная связь: