|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1988 |
| 1. |
Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, С. Н. Жигулин, З. Н. Соколова, В. Б. Халфин, “Влияние насыщения усиления на пороговые характеристики
квантово-размерных InGaAsP/GaAs-гетеролазеров”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1035–1039  |
| 2. |
Ж. И. Алфрове, Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. И. Колышкин, Т. А. Налет, Н. А. Стругов, А. В. Тикунов, “Квантово-размерные
InGaAsP/GaAs (${\lambda=0.86\div0.78}$ мкм) лазеры раздельного ограничения
(${J_{\text{п}}=100\,\text{А/см}^{2}}$, КПД${}=59$%)”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1031–1034 |
|
1987 |
| 3. |
Ж. И. Алфров, Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, В. Б. Халфин, “Низкопороговые квантово-размерные
InGaAsP/GaAs РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии
(${\lambda=0.86}$ мкм, ${I_{\text{п}}=90\,\text{А/см}^{2}}$,
${L=\infty}$; ${I_{\text{п}}=165\,\text{А/см}^{2}}$,
${L=1150}$ мкм, ${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1501–1503 |
| 4. |
Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, В. Б. Халфин, “Влияние насыщения усиления и квантово-размерных эффектов
на пороговые характеристики лазеров с супертонкими активными областями”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987), 1085–1094 |
| 5. |
Ж. И. Алфров, Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, А. В. Тикунов, В. Б. Халфин, “Квантово-размерные
InGaAsP/GaAs РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии
(${\lambda=0.79}$ мкм, ${I_{\text{п}}=124\,\text{А/см}^{2}}$,
${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 162–164 |
| 6. |
Ж. И. Алфёров, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, Н. А. Стругов, А. В. Тикунов, Е. И. Чудинова, “Видимые $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As\,P$ РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии
($\lambda=0.65\div0.67$ мкм, $I_n=3\div0.8\,\text{кА}/\text{см}^{2}$; $P=5$ мВт, $\lambda=0.665$ мкм, $T=300$ K)”, Письма в ЖТФ, 13:6 (1987), 372–374  |
|
1985 |
| 7. |
Ж. И. Алфров, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, А. В. Тикунов, В. П. Чалый, “0.677 мкм — непрерывный инжекционный РО
InGaAsP/GaAsP ДГ лазер, полученный жидкостной эпитаксией”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1115–1118 |
| 8. |
Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, А. В. Тикунов, Э. В. Тулашвили, “Непрерывный
РО InGaAsP/GaAs ДГС ЖЭ лазер с мощностью 77 мВт
(${T=300}$ K, ${\lambda=0.87}$ мкм)”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 136–138 |
| 9. |
Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, С. А. Никишин, Д. В. Синявский, А. В. Тикунов, “$Al\,Ga\,As/Ga\,As$ гетеролазеры раздельного ограничения, полученные модифицированным методом жидкостной эпитаксии ($I_{\text{п}}=260$ А/см$^{2}$, $\lambda= 0.86-0.83$ мкм, $T= 300$ K)”, Письма в ЖТФ, 11:23 (1985), 1409–1413 |
| 10. |
Ж. И. Алфёров, Л. С. Вавилова, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, “Непрерывный коротковолновый ($\lambda=0.677$ мкм) инжекционный лазер на основе $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As\,P$ РО ДГС с мощностью $10$ мВт”, Письма в ЖТФ, 11:19 (1985), 1153–1157 |
| 11. |
Ж. И. Алферов, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, Э. В. Тулашвили, “Полосковые лазеры на основе РО $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As$ ДГС ($\lambda\simeq0.87$ мкм) с тонкой активной областью”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985), 205–209 |
|
1984 |
| 12. |
Ж. И. Алфёров, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, Р. С. Игнаткина, “Низкопороговые видимые GaInAsP/GaAsP ДГ лазеры (${T=300}$ K, ${\lambda=0.70{-}0.66}$ мкм,
${I_{\text{пор}}\simeq1.5{-}3.2\,\text{кА}/\text{см}^{2}}$)”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 757–758 |
|
Обратная связь: