|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
И. М. Гродненский, Ю. М. Дикаев, А. С. Руденко, К. В. Старостин, М. Л. Яссен, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Ю. В. Слепнев, “Множественная полосковая структура с квазиодномерным электронным
энергетическим спектром”, Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992), 1521–1528  |
|
1990 |
| 2. |
В. Н. Луцкий, Б. К. Медведев, В. Г. Мокерев, А. С. Рылик, Ю. В. Слепнев, С. С. Шмелев, В. С. Шубин, “Резонансное туннелирование электронов в двухбарьерной структуре на
основе GaAs$-$AlAs”, Письма в ЖТФ, 16:21 (1990), 12–15  |
| 3. |
Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Ю. В. Слепнев, А. А. Кальфа, А. Р. Крюков, “Резонансное туннелирование в диодах с двухбарьерной
гетероструктурой”, Письма в ЖТФ, 16:20 (1990), 76–78 |
| 4. |
Б. К. Медведев, В. П. Гаранин, В. Б. Копылов, В. Г. Мокеров, Ю. В. Слепнев, А. Л. Кузнецов, “Новая эпитаксиальная структура
для арсенид-галлиевых приборов
на подложках кремния”, Письма в ЖТФ, 16:11 (1990), 48–52 |
|
1986 |
| 5. |
Э. А. Ильичев, С. К. Максимов, Е. Н. Нагдаев, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, Ю. В. Слепнев, “Особенности электрофизических и структурных свойств изолирующих слоев
в системе GaAs$-$AlAs, полученных МОС гидридным методом”, ЖТФ, 56:11 (1986), 2245–2247 |
| 6. |
С. М. Афанасьев, Э. А. Ильичев, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, Ю. В. Слепнев, Б. В. Стрижков, “Влияние состава на электрофизические свойства изолирующих слоев
Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, полученных МОС гидридным методом”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1565–1571 |
| 7. |
Э. А. Ильичев, Ю. П. Маслобоев, В. М. Масловский, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, Ю. В. Слепнев, “Захват носителей в структурах
изолятор–полупроводник, полученных МОС
гидридным методом в системе GaAs$-$AlAs”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 757–759 |
|
1984 |
| 8. |
Э. А. Ильичев, Ю. П. Маслобоев, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, Ю. В. Слепнев, “Полевой транзистор с изолированным затвором”, Письма в ЖТФ, 10:7 (1984), 420–422 |
|
Обратная связь: