|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, А. А. Гореленок, Т. С. Лагунова, А. М. Литвак, М. А. Сиповская, С. П. Старосельцева, В. А. Тихомирова, В. В. Шерстнев, “Исследование структурных дефектов в эпитаксиальных слоях арсенида
индия”, Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992), 1612–1624  |
|
1991 |
| 2. |
Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, К. Д. Моисеев, Н. А. Прокофьева, Т. Б. Попова, М. А. Сиповская, В. В. Шерстнев, “Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов InAsSbP”, Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991), 1639–1645 |
| 3. |
Т. И. Воронина, Б. Е. Джуртанов, Т. С. Лагунова, Ю. П. Яковлев, “Поведение примесей в твердых растворах $p$-GaInSbAs”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 283–286 |
| 4. |
Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, М. П. Михайлова, М. А. Сиповская, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Электрические и фотоэлектрические свойства узкозонных твердых
растворов GaInSbAs : Mn”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 276–282 |
|
1990 |
| 5. |
А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, А. Н. Дахно, Б. Е. Джуртанов, Т. С. Лагунова, М. А. Сиповская, Ю. П. Яковлев, “Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов
$p$-GaInSbAs, выращенных на подложках $n$-GaSb : Te”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1072–1078 |
|
1989 |
| 6. |
А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, И. Н. Тимченко, З. И. Чугуева, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Кинетика изменения концентрации структурных дефектов и их роль
в рассеянии дырок в $p$-GaSb”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989), 780–786 |
|
1988 |
| 7. |
Т. И. Воронина, А. Н. Дахно, О. В. Емельяненко, Т. С. Лагунова, С. П. Старосельцева, “Примесная проводимость в $n$-GaAs и $n$-InP на металлической стороне
перехода металл–диэлектрик”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1230–1232 |
| 8. |
Т. И. Воронина, О. В. Емельяненко, А. Н. Дахно, Т. С. Лагунова, С. П. Старосельцева, З. И. Чугуева, “Релаксация фазы и локализация электронов в $n$-GaAs и $n$-InP вблизи
перехода металл–диэлектрик”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1129–1131 |
| 9. |
Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, Б. Е. Саморуков, Н. А. Стругов, “Свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, легированных
редкоземельными элементами”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 147–150 |
|
1987 |
| 10. |
А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Изменение концентрации природных акцепторов в $Ga\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 13:18 (1987), 1103–1108  |
|
1986 |
| 11. |
Т. И. Воронина, О. В. Емельяненко, Т. С. Лагунова, Д. Д. Недеогло, “Исследование квантовых эффектов межэлектронного взаимодействия
в легированных кристаллах A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1025–1029 |
| 12. |
Т. И. Воронина, А. Н. Дахно, О. В. Емельяненко, Т. С. Лагунова, З. И. Чугуева, “Отрицательное магнитосопротивление и локализация электронов
в полупроводниках с простой изотропной зоной в области перехода
металл–диэлектрик”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 752–753 |
|
1985 |
| 13. |
А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, Н. С. Зимогорова, Л. М. Канская, Ю. П. Яковлев, “Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев антимонида галлия, выращенных
из расплавов, обогащенных сурьмой”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1676–1679 |
| 14. |
Н. Т. Баграев, А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, Ю. Н. Толпаров, Ю. П. Яковлев, “Подавление природных акцепторов в $Ga\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 11:2 (1985), 117–121 |
|
1984 |
| 15. |
Т. И. Воронина, Ш. М. Гасанли, О. В. Емельяненко, Т. С. Лагунова, “Аномальное магнитосопротивление в кристаллах
A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ $p$-типа
при низких температурах”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 731–734 |
|
1983 |
| 16. |
Т. И. Воронина, О. В. Емельяненко, Т. С. Лагунова, З. И. Чугуева, З. Ш. Яновицкая, “Экспериментальная проверка теории отрицательного
магнитосопротивления, связанного с квантовой локализационной поправкой
к проводимости”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1841–1844 |
|
Обратная связь: