|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
1. |
Ш. Махкамов, М. Маманова, Ю. В. Пахаруков, Н. А. Турсунов, “Об особенности отжига радиационных дефектов в нейтронно-легированном
кремнии”, Письма в ЖТФ, 18:24 (1992), 44–48 |
|
1991 |
2. |
Ю. М. Добровинский, Ш. Махкамов, А. Мирзаев, В. И. Митин, Н. А. Турсунов, “Влияние терморадиационной обработки на процесс образования дефектных
центров в кремнии при электронном облучении”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 523–528 |
3. |
Ш. Махкамов, Н. А. Турсунов, М. Маманова, М. Ашуров, “О влиянии нового центра золота
на характеристики кремниевых диодов”, Письма в ЖТФ, 17:24 (1991), 77–81 |
|
1989 |
4. |
Ш. Махкамов, Ю. В. Пахаруков, М. С. Юнусов, “Влияние процесса радиационного дефектообразования на дифузионный
профиль распределения алюминия в кремнии при электронном облучении”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1686–1689 |
|
1988 |
5. |
А. Мирзаев, Ш. Махкамов, Н. А. Турсунов, “Радиационное дефектообразование в кремнии, легированном палладием”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1177–1180 |
|
1987 |
6. |
А. Мирзаев, Ш. Махкамов, П. К. Хабибуллаев, “Исследование параметров уровней рения в кремнии методом
DLTS”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1404–1407 |
|
1986 |
7. |
Д. А. Вахабов, А. С. Закиров, Х. Т. Игамбердыев, Х. Кузибаев, А. Т. Мамадалимов, Ш. Махкамов, П. К. Хабибуллаев, “Исследование влияния лазерного воздействия на свойства кремния,
легированного золотом”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 747–749 |
|
1985 |
8. |
П. К. Хабибуллаев, М. С. Юнусов, Ш. Махкамов, Б. Л. Оксенгендлер, Ю. В. Пахаруков, “Ионизационно-стимулированный механизм миграции примесей
в ионно-имплантированных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 300–302 |
|
1984 |
9. |
П. К. Хабибуллаев, М. С. Юнусов, Ш. Махкамов, Б. Л. Оксенгендлер, Ю. В. Пахаруков, “Влияние ионизирующего излучения на распад твердых растворов”, Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984), 915–918 |
|