Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Махкамов Шербай

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 9
Научных статей: 9

Статистика просмотров:
Эта страница:32
Страницы публикаций:396
Полные тексты:176
кандидат физико-математических наук

https://www.mathnet.ru/rus/person162258
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
1992
1. Ш. Махкамов, М. Маманова, Ю. В. Пахаруков, Н. А. Турсунов, “Об особенности отжига радиационных дефектов в нейтронно-легированном кремнии”, Письма в ЖТФ, 18:24 (1992),  44–48  mathnet  isi
1991
2. Ю. М. Добровинский, Ш. Махкамов, А. Мирзаев, В. И. Митин, Н. А. Турсунов, “Влияние терморадиационной обработки на процесс образования дефектных центров в кремнии при электронном облучении”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  523–528  mathnet
3. Ш. Махкамов, Н. А. Турсунов, М. Маманова, М. Ашуров, “О влиянии нового центра золота на характеристики кремниевых диодов”, Письма в ЖТФ, 17:24 (1991),  77–81  mathnet  isi
1989
4. Ш. Махкамов, Ю. В. Пахаруков, М. С. Юнусов, “Влияние процесса радиационного дефектообразования на дифузионный профиль распределения алюминия в кремнии при электронном облучении”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1686–1689  mathnet
1988
5. А. Мирзаев, Ш. Махкамов, Н. А. Турсунов, “Радиационное дефектообразование в кремнии, легированном палладием”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1177–1180  mathnet
1987
6. А. Мирзаев, Ш. Махкамов, П. К. Хабибуллаев, “Исследование параметров уровней рения в кремнии методом DLTS”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1404–1407  mathnet
1986
7. Д. А. Вахабов, А. С. Закиров, Х. Т. Игамбердыев, Х. Кузибаев, А. Т. Мамадалимов, Ш. Махкамов, П. К. Хабибуллаев, “Исследование влияния лазерного воздействия на свойства кремния, легированного золотом”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  747–749  mathnet
1985
8. П. К. Хабибуллаев, М. С. Юнусов, Ш. Махкамов, Б. Л. Оксенгендлер, Ю. В. Пахаруков, “Ионизационно-стимулированный механизм миграции примесей в ионно-имплантированных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  300–302  mathnet
1984
9. П. К. Хабибуллаев, М. С. Юнусов, Ш. Махкамов, Б. Л. Оксенгендлер, Ю. В. Пахаруков, “Влияние ионизирующего излучения на распад твердых растворов”, Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  915–918  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024