|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
П. Ф. Лугаков, В. В. Лукьяница, “Влияние предварительной термообработки на эффективность образования
радиационных дефектов в бездислокационном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992), 1509–1511  |
|
1990 |
| 2. |
П. Ф. Лугаков, В. В. Лукьяница, “Радиационно-стимулированное образование термодоноров в зонном $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1721–1725 |
|
1986 |
| 3. |
П. Ф. Лугаков, В. В. Лукьяница, В. В. Шуша, “Особенности накопления радиационных дефектов в высокоомном
$p$-кремнии”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1894–1897 |
| 4. |
П. Ф. Лугаков, В. В. Лукьяница, “Процессы комплексообразования в кремнии при изменении температуры
облучения”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 742–744 |
|
1985 |
| 5. |
П. Ф. Лугаков, В. В. Лукьяница, Ю. М. Покотило, “Природа и параметры примесно-дефектных скоплений
в нейтронно-легированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 2014–2017 |
|
1984 |
| 6. |
П. Ф. Лугаков, В. В. Лукьяница, “Влияние интенсивности облучения на скорость аннигиляции вакансий
и междоузлий в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 345–347 |
|
1983 |
| 7. |
П. Ф. Лугаков, В. В. Лукьяница, “Природа дефектов и особенности их образования при облучении
нейтронно-легированного кремния”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1601–1603 |
| 8. |
П. Ф. Лугаков, В. В. Лукьяница, “Взаимодействие дефектов вакансионного и междоузельного типов при
отжиге облученного $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 166–168 |
|
Обратная связь: