|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
П. В. Кучинский, В. М. Ломако, А. П. Петрунин, “Влияние температуры облучения и электрического поля на образование
и стабильность вакансионных дефектов в $p$-Si”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 448–452  |
| 2. |
И. А. Баранов, П. В. Кучинский, В. М. Ломако, А. П. Петрунин, С. О. Целелевич, Л. Н. Шахлевич, “Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой
${\sim100}$ а.е.м. и энергией до 100 МэВ.
II. Изменение рекомбинационных свойств”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991), 73–76 |
|
1990 |
| 3. |
И. А. Баранов, П. В. Кучинский, В. М. Ломако, А. П. Петрунин, С. О. Цепелевич, Л. Н. Шахлевич, “Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой $\sim
100$ а.е.м. и энергией до 100 МэВ. Спектроскопия дефектов”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 731–735 |
|
1989 |
| 4. |
П. В. Кучинский, В. М. Ломако, А. П. Петрунин, “Инжекционная, электрополевая и термическая перестройка радиационных
дефектов в $p$-кремнии”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1625–1628 |
|
1986 |
| 5. |
П. В. Кучинский, В. М. Ломако, А. П. Петрунин, “Инжекционный отжиг радиационных дефектов в $p$-кремнии, вводимых
в электрическом поле при ${78\div330}$ K”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 740–742 |
|
1985 |
| 6. |
В. И. Губская, П. В. Кучинский, В. М. Ломако, А. П. Петрунин, “О возможности идентификации дефектов в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985), 532–534 |
| 7. |
П. В. Кучинский, В. М. Ломако, А. П. Петрунин, “Влияние сильного электрического поля на скорость введения и пространственное распределение радиационных дефектов в кремнии”, Письма в ЖТФ, 11:5 (1985), 309–311  |
|
1984 |
| 8. |
П. В. Кучинский, В. М. Ломако, А. П. Петрунин, “О распределении дефектов при облучении кремния неколлимированным
пучком альфа-частиц”, ЖТФ, 54:10 (1984), 2066–2068 |
|
Обратная связь: