|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1988 |
| 1. |
И. М. Колдаев, “Аккумуляция в $n^{+}{-}n{-}n^{+}$-структурах на основе
A$^{\text{II}}$B$^{\text{VI}}$ при различных длинах волн фотовозбуждения”, Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988), 1505–1507  |
|
1986 |
| 2. |
И. М. Колдаев, В. В. Лосев, Б. М. Орлов, Н. Д. Рухадзе, “Фоточувствительность структуры с длинной базой и приповерхностным
потенциальным переходом на основе монокристаллов CdS в собственной области
поглощения”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 730–732 |
|
1984 |
| 3. |
И. М. Колдаев, В. В. Лосев, Б. М. Орлов, “Сублинейность вольтамперных характеристик планарных
$n^{+}{-}n{-}n^{+}$- и $M{-}n{-}n^{+}$-структур на монокристаллах
CdSe и ZnSe
при фотовозбуждении”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1678–1681 |
| 4. |
И. М. Колдаев, В. В. Лосев, Б. М. Орлов, “Чувствительность продольных инжекционных фотодиодов на основе
монокристаллов CdS к поляризованному излучению”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1316–1318 |
| 5. |
И. М. Колдаев, В. В. Лосев, Б. М. Орлов, “Фотоприемник с инжекционным усилением для ультрафиолетовой области”, Письма в ЖТФ, 10:14 (1984), 853–856  |
|
Обратная связь: