|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
Т. Ю. Бильгильдеева, Т. А. Полянская, “Квантовые когерентные эффекты в германии, легированном мышьяком”, Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992), 1109–1115  |
|
1991 |
| 2. |
В. В. Воробьева, О. В. Зушинская, В. Б. Лебедев, ЛеТуан, С. В. Новиков, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, Ю. В. Шмарцев, “Электрофизические параметры слоев GaAs, выращенных ЖФЭ
из растворов$-$расплавов в галлии и висмуте при различных потоках водорода”, Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991), 1758–1764 |
|
1989 |
| 3. |
Т. А. Полянская, Ю. В. Шмарцев, “Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным
и трехмерным электронным газом. Эксперимент”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 3–32 |
|
1988 |
| 4. |
А. М. Крещук, Е. П. Лаурс, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, Е. М. Семашко, “Электронная температура в режиме квантового эффекта Холла”, Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988), 2162–2164 |
| 5. |
Л. В. Голубев, А. М. Крещук, С. В. Новиков, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, “Получение гетероструктур с двумерным электронным газом методом
стандартной жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988), 1948–1954 |
| 6. |
И. Г. Савельев, Т. А. Полянская, “Высокотемпературные квантовые поправки к проводимости двумерного
электронного газа в AlGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1818–1826 |
| 7. |
А. М. Крещук, М. Ю. Мартисов, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, А. Я. Шик, Ю. В. Шмарцев, “Роль высших подзон в энергетической релаксации двумерного
электронного газа”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 604–608 |
| 8. |
Т. Ю. Бильгильдеева, В. Н. Каряев, Т. А. Полянская, “Слабая локализация и спин-орбитальное взаимодействие в твердом
растворе GaAs$_{0.94}$Sb$_{0.06}$ $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 381–385 |
| 9. |
Л. В. Шаронова, Т. А. Полянская, X. Г. Нажмудинов, В. Н. Каряев, Л. А. Зайцева, “Высота барьера Шоттки Au$-$GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 93–96 |
| 10. |
А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, Кумар Ракеш, В. В. Мамутин, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, Ю. В. Шмарцев, “Концентрация и подвижность электронов в InP и
In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, легированных редкоземельными элементами”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 35–43 |
|
1987 |
| 11. |
И. Г. Савельев, Т. А. Полянская, Ю. В. Шмарцев, “Квантовые поправки к проводимости и разогрев двумерного электронного
газа на гетерогранице
AlGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 2096–2099 |
| 12. |
Х. Г. Нажмудинов, Т. А. Полянская, “Вольтамперные характеристики структур
AuGaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$/GaAs в свете флуктуационной теории термополевой
эмиссии в барьерах Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1737–1744 |
|
1986 |
| 13. |
Т. А. Полянская, Т. Ю. Бильгильдеева, “О возможности определения коэффициента анизотропии подвижности на
неориентированных образцах кубических полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 713–719 |
|
1985 |
| 14. |
Ж. И. Алферов, А. Т. Гореленок, В. В. Мамутин, А. В. Приходько, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, Ю. В. Шмарцев, Р. Вашкявичюс, “Исследование СВЧ поглощения в гетероструктурах
InGaAs/InP в режиме электрической неустойчивости”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 2004–2007 |
| 15. |
Т. А. Полянская, “Соотношения симметрии для квантовой магнитопроводимости в кубических
кристаллах”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1452–1459 |
| 16. |
Ж. И. Алфров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Б. Я. Мельцер, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, В. М. Устинов, Ю. В. Шмарцев, “Гальваномагнитные эффекты в гетероструктурах
$N$-Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs при высоком уровне легирования”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985), 1199–1203 |
| 17. |
М. Г. Блюмина, А. Т. Денисов, А. М. Крещук, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, А. П. Сеничкин, Ю. В. Шмарцев, “Двумерный электронный газ в модулированно-легированных структурах
GaAs/GaAlAs, полученных методом
молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 164–167 |
|
1984 |
| 18. |
Ж. И. Алфров, А. Т. Гореленок, В. В. Мамутин, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, Ю. В. Шмарцев, “Спин-орбитальное рассеяние и слабая локализация электронов
в гетероструктурах InGaAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 1999–2005 |
| 19. |
Ж. И. Алфёров, А. Т. Гореленок, В. В. Мамутин, Т. А. Полянская, А. В. Приходько, В. В. Рождественский, И. Г. Савельев, Ю. В. Шмарцев, “Особенности СВЧ шума при развитии электрической неустойчивости
в квазидвумерных In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP-гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1237–1241 |
| 20. |
Ж. И. Алфёров, А. Т. Гореленок, А. В. Каманин, В. В. Мамутин, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, Ю. В. Шмарцев, “Двумерный электронный газ в InGaAs/InP-гетероструктурах, полученных
жидкофазной эпитаксией”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1230–1232 |
| 21. |
Т. А. Полянская, Л. П. Круковская, Ю. В. Шмарцев, “О температурной зависимости времени релаксации фазы волновой функции
в германии, легированном сурьмой”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 156–159 |
|
1983 |
| 22. |
С. В. Козырев, Р. В. Парфеньев, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, Ю. В. Шмарцев, “Время релаксации фазы волновой функции в двумерном электронном газе
Si-МДП структур”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983), 2230–2232 |
| 23. |
Т. А. Полянская, И. И. Сайдашев, Ю. В. Шмарцев, “Зависимость отрицательного магнитосопротивления от
концентрации примеси в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983), 1081–1086 |
| 24. |
А. Я. Вуль, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, Ю. В. Шмарцев, “К вопросу о механизме пробоя $p{-}n$-переходов на основе твердых
растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 134–138 |
|
Обратная связь: