|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
А. А. Шматов, “К вопросу о корреляции функции в релаксационной спектроскопии
глубоких уровней”, Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992), 473–476  |
|
1989 |
| 2. |
В. С. Львов, В. И. Стриха, О. В. Третяк, А. А. Шматов, “Межцентровые переходы носителей заряда в частично разупорядоченном кремнии: эксперимент и обсуждение результатов”, Физика твердого тела, 31:11 (1989), 206–213  |
| 3. |
В. С. Львов, В. И. Стриха, О. В. Третяк, А. А. Шматов, “Межцентровые переходы носителей заряда в частично разупорядоченном кремнии: расчет”, Физика твердого тела, 31:11 (1989), 197–205 |
| 4. |
И. Н. Белокурова, О. В. Третяк, С. И. Шаховцова, М. М. Шварц, А. А. Шматов, “Емкостная спектроскопия глубоких уровней облученных твердых растворов
германий$-$кремний”, Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989), 1869–1873 |
|
1988 |
| 5. |
Т. В. Торчинская, А. Г. Карабаев, Ж. С. Абдуллаев, А. А. Шматов, М. К. Шейнкман, “Некоторые причины нестабильности свечения GaP : N светодиодов”, Письма в ЖТФ, 14:18 (1988), 1710–1716 |
|
1987 |
| 6. |
В. И. Стриха, О. В. Третяк, А. А. Шматов, Г. М. Мозок, “К вопросу об измерении релаксации емкости в спектроскопии глубоких
уровней”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 653–656 |
|
1986 |
| 7. |
Т. В. Торчинская, А. А. Шматов, В. И. Строчков, М. К. Шейнкман, “Преобразование глубоких центров в процессе деградации
GaP$\langle$N, Zn$-$O$\rangle$ светоизлучающих диодов”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 701–707 |
|
1985 |
| 8. |
Ф. И. Борисов, Ю. В. Воробьев, В. И. Стриха, О. В. Третяк, А. А. Шматов, “Исследование спин-зависимой рекомбинации в пленках
КНС”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 869–873 |
|
1984 |
| 9. |
Ф. И. Борисов, В. И. Стриха, О. В. Третяк, А. А. Шматов, “Спин-зависимая генерация неравновесных носителей заряда”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1552–1555 |
|
Обратная связь: