|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1988 |
| 1. |
А. М. Марголин, З. С. Суровяк, И. Н. Захарченко, В. А. Алешин, Л. К. Чернышева, М. Г. Радченко, В. П. Дудкевич, “Сегнетоэлектрические пленки
(K, Na)NbO$_{3}$, полученные ВЧ катодным распылением”, ЖТФ, 58:12 (1988), 2355–2359   |
| 2. |
В. М. Мухортов, Я. С. Никитин, И. Н. Захарченко, М. Г. Радченко, Ю. И. Головко, В. П. Дудкевич, “Фазовые переходы в гетероэпитаксиальных сегнетоэлектрических пленках
(Ва, Sr)TiO$_{3}/$(001)MgO”, ЖТФ, 58:7 (1988), 1449–1452 |
|
1986 |
| 3. |
В. М. Мухортов, Я. С. Никитин, М. Г. Радченко, В. А. Алешин, Ю. И. Головко, В. П. Дудкевич, “О связи между размерами кристаллитов, параметрами элементарных ячеек
и диэлектрическими свойствами сегнетоэлектрических пленок
(Ва, Sr)TiO$_{3}$”, ЖТФ, 56:7 (1986), 1372–1376 |
|
1985 |
| 4. |
В. П. Дудкевич, Е. Г. Фесенко, Е. В. Свиридов, В. М. Мухортов, “Сегнетоэлектрические свойства тонких пленок
Pb(Zr,Ti)O$_{3}$, полученных ВЧ катодным распылением”, ЖТФ, 55:5 (1985), 959–961 |
| 5. |
В. М. Мухортов, В. П. Дудкевич, С. В. Толстоусов, Э. Н. Мясников, “Процессы, приводящие к эффекту памяти в структуре
сегнетоэлектрическая пленка–монокристалл кремния”, ЖТФ, 55:1 (1985), 127–130 |
|
1983 |
| 6. |
В. А. Алешин, Вас. М. Мухортов, Ю. И. Головко, Вл. М. Мухортов, А. Т. Пиралова, В. П. Дудкевич, Е. Г. Фесенко, “Доменное строение гетероэпитаксиальных сегнетоэлектрических пленок Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$, полученных ВЧ катодным распылением”, Физика твердого тела, 25:2 (1983), 612–614 |
| 7. |
Е. В. Свиридов, В. М. Мухортов, Ю. И. Головко, И. Н. Захарченко, В. П. Дудкевич, Е. Г. Фесенко, “Гетероэпитаксиальные сегнетоэлектрические пленки PbTiO$_{3}$, полученные
ВЧ катодным распылением”, Письма в ЖТФ, 9:3 (1983), 163–166 |
|
Обратная связь: