|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1988 |
| 1. |
А. Б. Герасимов, М. К. Гоготишвили, З. В. Джибути, Б. М. Коноваленко, “О механизмах перестройки комплексов в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 920–922  |
|
1986 |
| 2. |
А. Б. Герасимов, М. К. Гоготишвили, Б. М. Коноваленко, “О зависимости температуры отжига дефектов атом примеси–вакансия от
типа примеси”, Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986), 1980–1983 |
| 3. |
А. Б. Герасимов, М. К. Гоготишвили, Б. М. Коноваленко, “Влияние энергии связи атомов с решеткой на кинетику отжига
радиационных дефектов в германии $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 794–798 |
| 4. |
А. Б. Герасимов, М. К. Гоготишвили, Б. М. Коноваленко, “О механизме влияния типа и концентрации примесей на кинетику отжига
в облученном германии”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 641–644 |
|
1983 |
| 5. |
А. Б. Герасимов, З. Г. Гогуа, А. А. Церцвадзе, “Расчет мелких и глубоких примесных состояний в Ge и Si с помощью вариационного метода Фейнмана”, Физика твердого тела, 25:3 (1983), 746–750  |
|
Обратная связь: