|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
В. П. Власов, Ф. А. Заитов, В. М. Каневский, А. А. Пурцхванидзе, Г. М. Шаляпина, “О миграции индия в CdHgTe после воздействия импульсным магнитным полем”, Физика твердого тела, 34:10 (1992), 3264–3265   |
|
1991 |
| 2. |
Г. Ю. Андерсен, О. К. Гусев, Ф. А. Заитов, В. П. Киреенко, В. Б. Яржембицкий, “Влияние условий измерений на аномальный эффект Холла в $p$-InAs”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 1999–2002 |
|
1989 |
| 3. |
А. З. Абасова, Ф. А. Заитов, А. В. Любченко, С. Султанмурадов, “Рекомбинационные процессы в радиационно облученных фоточувствительных
структурах на основе селенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 152–155 |
|
1987 |
| 4. |
Ф. А. Заитов, Ю. М. Добровинский, В. Б. Неймаш, В. М. Цмоць, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, “Рекомбинация в Si после термообработки и $\gamma$-облучения”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 2082–2084 |
| 5. |
Г. И. Кольцов, Е. А. Ладыгин, С. Ю. Юрчук, Ф. А. Заитов, “Электрофизические и фотоэлектрические характеристики
$p{-}n$-переходов, изготовленных имплантацией бериллия
в GaAs$_{1-x}$P$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1901–1904 |
|
1986 |
| 6. |
Е. П. Скипетров, В. В. Дмитриев, Ф. А. Заитов, Г. И. Кольцов, Е. А. Ладыгин, “Электрофизические свойства антимонида индия $n$-типа, облученного
быстрыми электронами”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1787–1790 |
| 7. |
А. З. Абасова, Ф. А. Заитов, О. В. Рычкова, А. Э. Юнович, “Температурная зависимость спектров фотолюминесценции монокристаллов
GaSe, облученных $\gamma$-квантами”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 613–618 |
|
1985 |
| 8. |
Ш. Б. Атакулов, Ф. А. Заитов, Ю. В. Матершев, К. Э. Онаркулов, А. Е. Шавров, “О диффузионном характере радиационной деградации фотопроводящих
пленок сернистого свинца”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 2088–2091 |
|
1984 |
| 9. |
А. В. Горшков, Ф. А. Заитов, С. Б. Шангин, Г. М. Шаляпина, И. С. Асатурова, “Механизмы миграции компонентов и примесей в Cd$_{0.2}$Hg$_{0.8}$Te”, Физика твердого тела, 26:11 (1984), 3233–3239 |
| 10. |
А. В. Горшков, Ф. А. Заитов, С. Б. Шангин, Г. М. Шаляпина, И. Н. Петров, И. С. Асатурова, “Диффузия компонентов и примесей в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te (${x=0.2}$)”, Физика твердого тела, 26:10 (1984), 2960–2967 |
| 11. |
И. Я. Дехтяр, М. И. Дехтяр, В. В. Дякин, Ф. А. Заитов, А. И. Власенко, С. П. Лихторович, А. А. Любченко, С. Г. Сахарова, В. И. Силантьев, Р. Г. Федченко, “Позитронная аннигиляция в облученных кристаллах
CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 1970–1974 |
| 12. |
Ш. Б. Атакулов, Ф. А. Заитов, В. П. Шабалов, “Электрические свойства поликристаллических пленок Bi$_{2-x}$Sb$_x$Te$_3$
при $\gamma$-облучении”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1095–1098 |
|
1983 |
| 13. |
А. В. Горшков, Ф. А. Заитов, Г. М. Шаляпина, С. Б. Шангин, “Механизм миграции индия в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика твердого тела, 25:9 (1983), 2662–2666 |
| 14. |
Ф. А. Заитов, В. М. Цмоць, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, В. С. Штым, М. И. Шубак, “Магнитная восприимчивость кремния, легированного гадолинием”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1490–1492 |
|
Обратная связь: