|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Э. А. Ильичев, А. Е. Кулешов, Г. Н. Петрухин, П. В. Минаков, Г. С. Рычков, В. В. Сень, Е. Г. Теверовская, “Алмазные фотокатоды как полевые катоды для вакуумной микроэлектроники”, Письма в ЖТФ, 47:10 (2021), 3–6   ; E. A. Il'ichev, A. E. Kuleshov, G. N. Petrukhin, P. V. Minakov, G. S. Rychkov, V. V. Sen, E. G. Teverovskaya, “Diamond photocathodes as field-emission electrodes for vacuum microelectronics”, Tech. Phys. Lett., 47:7 (2021), 503–506 |
| 2. |
В. А. Беспалов, Э. А. Ильичёв, И. П. Казаков, Г. А. Кирпиленко, А. И. Козлитин, П. В. Минаков, В. В. Сарайкин, А. В. Клековкин, С. В. Куклев, Г. Н. Петрухин, Г. С. Рычков, Д. С. Соколов, Е. Г. Теверовская, “Особенности характеристик солнечно-слепых электронно-оптических преобразователей с алмазными фотокатодами”, Письма в ЖТФ, 47:9 (2021), 3–6 ; V. A. Bespalov, E. A. Il'ichev, I. P. Kazakov, G. A. Kirpilenko, A. I. Kozlitin, P. V. Minakov, V. V. Saraikin, A. V. Klekovkin, S. V. Kuklev, G. N. Petrukhin, G. S. Rychkov, D. S. Sokolov, E. G. Teverovskaya, “Characteristics of solar-blind electron-optical converters with diamond photocathodes”, Tech. Phys. Lett., 47:6 (2021), 432–435 |
1
|
|
2018 |
| 3. |
Э. А. Ильичев, А. Е. Кулешов, Д. М. Мигунов, Р. М. Набиев, Г. Н. Петрухин, Г. С. Рычков, Е. Г. Теверовская, В. О. Хаустов, “Исследование электронной прозрачности графена для малых энергий электрона”, Письма в ЖТФ, 44:18 (2018), 94–102 ; E. A. Il'ichev, A. E. Kuleshov, D. M. Migunov, R. M. Nabiev, G. N. Petrukhin, G. S. Rychkov, E. G. Teverovskaya, V. O. Khaustov, “Studying the transparency of graphene for low-energy electrons”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 848–851 |
3
|
|
2017 |
| 4. |
Э. А. Ильичев, А. Е. Кулешов, Р. М. Набиев, Г. Н. Петрухин, Г. С. Рычков, Е. Г. Теверовская, “Фотоэмиссионная ячейка матричного приемника вакуумного ультрафиолетового излучения”, Письма в ЖТФ, 43:7 (2017), 48–55 ; E. A. Il'ichev, A. E. Kuleshov, R. M. Nabiev, G. N. Petrukhin, G. S. Rychkov, E. G. Teverovskaya, “The photoemissive cell of a vacuum ultraviolet radiation detector array”, Tech. Phys. Lett., 43:4 (2017), 345–347 |
5
|
|
1992 |
| 5. |
В. А. Гергель, Э. А. Ильичев, А. И. Лукьянченко, Э. А. Полторацкий, К. С. Щамхалов, “Паразитное управление по подложке в полевых транзисторах на арсениде
галлия”, Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992), 794–800 |
|
1991 |
| 6. |
В. А. Гергель, Э. А. Ильичев, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, С. П. Тарнавский, А. В. Федоренко, “Частотная дисперсия крутизны в полевых транзисторах на основе
$\delta$-легированных структур”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 1870–1876 |
| 7. |
В. А. Гергель, А. И. Лукьянченко, А. Н. Соляков, Э. А. Ильичев, Э. А. Полторацкий, “Температурная зависимость эффекта управления транзистором через
полуизолирующую подложку в интегральных схемах на арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991), 1667–1670 |
| 8. |
В. А. Гергель, Э. А. Ильичев, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, С. П. Тарнавский, А. В. Федоренко, “Влияние свойств барьера Шоттки на частотную дисперсию крутизны
полевого транзистора с барьером Шоттки”, Письма в ЖТФ, 17:14 (1991), 78–80  |
| 9. |
В. А. Гергель, Э. А. Ильичев, А. И. Лукьянченко, Э. А. Полторацкий, К. С. Шамхалов, “О механизмах паразитного управления по подложке в GaAs ПТШ”, Письма в ЖТФ, 17:14 (1991), 36–38 |
|
1990 |
| 10. |
В. А. Гергель, Э. А. Ильичев, А. И. Лукьянченко, Э. А. Полторацкий, А. Н. Соляков, “Физическая модель эффекта управления полевым транзистором через
полуизолирующую подложку”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2111–2116 |
| 11. |
Э. А. Ильичев, С. П. Олейник, Л. И. Матына, И. В. Варламов, Т. Л. Липшиц, В. Н. Инкин, “Гетеропереход $n$-GaAs$-$ZnS в МДП приборах. II. Транзисторы
с изолированным затвором”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 978–981 |
| 12. |
Э. А. Ильичев, С. П. Олейник, Л. И. Матына, И. В. Варламов, Т. Л. Липшиц, В. Н. Инкин, “Гетеропереход $n$-GaAs$-$ZnS в МДП приборах.
I. Электрофизические
свойства гетероперехода”, Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990), 788–794 |
|
1986 |
| 13. |
Э. А. Ильичев, С. К. Максимов, Е. Н. Нагдаев, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, Ю. В. Слепнев, “Особенности электрофизических и структурных свойств изолирующих слоев
в системе GaAs$-$AlAs, полученных МОС гидридным методом”, ЖТФ, 56:11 (1986), 2245–2247 |
| 14. |
Э. А. Ильичев, Э. А. Полторацкий, “Модуляция ОПЗ в структурах изолятор–полупроводник, полученных
в системе GaAs$-$AlAs”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1782–1786 |
| 15. |
С. М. Афанасьев, Э. А. Ильичев, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, Ю. В. Слепнев, Б. В. Стрижков, “Влияние состава на электрофизические свойства изолирующих слоев
Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, полученных МОС гидридным методом”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1565–1571 |
| 16. |
Э. А. Ильичев, Ю. П. Маслобоев, В. М. Масловский, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, Ю. В. Слепнев, “Захват носителей в структурах
изолятор–полупроводник, полученных МОС
гидридным методом в системе GaAs$-$AlAs”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 757–759 |
| 17. |
Э. А. Ильичев, В. М. Масловский, Э. А. Полторацкий, “Электрофизические свойства изолирующих слоев твердого раствора
Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As, полученных МОС гидридным методом”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 594–602 |
|
1984 |
| 18. |
Э. А. Ильичев, Ю. П. Маслобоев, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, Ю. В. Слепнев, “Полевой транзистор с изолированным затвором”, Письма в ЖТФ, 10:7 (1984), 420–422 |
|
Обратная связь: