Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Шикторов Н

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 8
Научных статей: 8

Статистика просмотров:
Эта страница:25
Страницы публикаций:290
Полные тексты:141

https://www.mathnet.ru/rus/person162094
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
1991
1. Э. Бабянскас, В. Бальчюнас, С. Балявичюс, А. Ченис, Н. Шикторов, В. Ясутис, “Кинетика наносекундной электрической «формовки» переключающих элементов на основе некристаллических пленок Ge$_{x}$Te$_{1-x}$”, Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  823–827  mathnet
2. В. Бальчюнас, С. Балявичюс, А. Ченис, Н. Шикторов, “Аномальная зависимость времени включения от перенапряжения в сверхбыстродействующих переключателях на основе аморфных полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  818–822  mathnet
3. Б. Венгалис, А. Юкна, Н. Шикторов, “Исследование электрического контакта YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7}$ с некоторыми полупроводниками”, Письма в ЖТФ, 17:8 (1991),  60–64  mathnet  isi
1988
4. Б. Венгалис, К. Валацка, Н. Шикторов, А. Юкна, “Поглощение света в нестехиометрическом Cu$_{2-\delta}$Se”, Физика твердого тела, 30:7 (1988),  1999–2002  mathnet  isi
5. С. Балявичюс, А. Тамашявичюс, А. Пошкус, Н. Шикторов, Э. Бабянскас, “Использование эффекта переключения в неупорядоченных полупроводниках для формирования пикосекундных перепадов электрического напряжения”, ЖТФ, 58:8 (1988),  1519–1523  mathnet  isi
1986
6. Б. Венгалис, К. Валацка, Н. Шикторов, В. Ясутис, “О состоянии Cu$_{2-\delta}$Se ниже температуры суперионного фазового перехода”, Физика твердого тела, 28:9 (1986),  2675–2679  mathnet  isi
1984
7. Б. Венгалис, К. Валацка, Б. Калинаускене, Н. Шикторов, “Концентрационный фазовый переход в Cu$_{2-\delta}$Se при низких температурах”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2024–2028  mathnet
8. С. Балявичюс, А. Декснис, А. Пошкус, Н. Шикторов, “Эффект «памяти» в случае наносекундного переключения в неупорядоченных пленках теллуридов In, Ge, Si”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1513–1516  mathnet

Организации
  • Институт физики полупроводников АН ЛитССР
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024